A2541WV-2P

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應(yīng)用案例更多案例

• 低功耗SRAM存儲器IS62WV1288DALL的特征

  ISSI公司主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存儲芯片。還設(shè)計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。主要是應(yīng)用在汽車、通信、數(shù)字消費以及工業(yè)和醫(yī)療市場的設(shè)計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)...

  2021-08-25
• 關(guān)于IS61WV204816ALL高速異步SRAM

  ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位靜態(tài)RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的過程與創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)相結(jié)合，可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。 當CS＃為高電平（取消選擇）時，器件將進...

  2021-03-20
• 天合全球發(fā)布全新一代開拓者2P智能跟蹤支架

  開拓者2P（2排組件豎裝）的結(jié)構(gòu)配置經(jīng)證實可以大幅度降低電站BOS成本，尤其在沙戈荒，農(nóng)漁光，近海灘涂等復(fù)雜應(yīng)用場景，使用2P的降本效果更為明顯。開拓者2P自2021年首次發(fā)布以來，一直是天合跟蹤主打產(chǎn)品之一。

  2023-04-17
• 浪涌保護器2P與1P+N的區(qū)別和行業(yè)應(yīng)用詳解

  電氣設(shè)備被擊穿或損壞。隨著配電系統(tǒng)的多樣化和接地方式的不同，浪涌保護器出現(xiàn)了多種結(jié)構(gòu)形式，其中以 2P型 與 1P+N型 最為常見。它們在外形、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、保護原理以及應(yīng)用場景上均存在顯著差異。地凱防雷將系統(tǒng)分析兩者的區(qū)別、參數(shù)含義及行業(yè)應(yīng)用方案。 二、浪涌

  2025-10-11
• 國產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08WM-55I可替代IS61WV25616EDBLL-8BLI

  英尚微推薦一款國產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08WM-55I，由EMI先進的全CMOS工藝技術(shù)制造。支持工業(yè)溫度范圍和芯片級封裝，以使用戶靈活地進行系統(tǒng)設(shè)計。該系列還支持低數(shù)據(jù)保持電壓，以低數(shù)據(jù)保持電流實現(xiàn)電池備份操作。 位寬512Kx8位，...

  2021-05-12
• 什么是空氣開關(guān) 空氣開關(guān)1p和2p的區(qū)別

  什么是空氣開關(guān) 空氣開關(guān)1p和2p的區(qū)別? 空氣開關(guān)是一種用于控制電氣回路的開關(guān)設(shè)備。它利用空氣壓力產(chǎn)生的力量來連接或斷開電路，使得電氣設(shè)備可以正常工作或停止工作?？諝忾_關(guān)廣泛應(yīng)用于各種電氣設(shè)備

  2024-02-19
• ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM

  ...產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。 ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit靜態(tài)SRAM，它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗

  2021-04-08
• 用于替換IS62WV51216EBLL-45TLI的國產(chǎn)SRAM芯片

  IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一個8M容量，組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機存儲器。 采用高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準再加創(chuàng)新的電路設(shè)計技術(shù)，造就了這款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片選引腳和...

  2022-01-26

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