 購(gòu)物車0
購(gòu)物車0制造商:ADI/AD
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
精密交流和直流性能
8路同步采樣
每個(gè)通道的輸出數(shù)據(jù)速率:256 kSPS
動(dòng)態(tài)范圍:108 dB
輸入帶寬:110.8 kHz(?3 dB帶寬(BW))
總諧波失真(THD):?120 dB(典型值)
2 ppm INL、±50 μV失調(diào)誤差、±30 ppm增益誤差
優(yōu)化的功耗、噪聲和輸入帶寬
可選功耗、速度和輸入帶寬
快速 最高速度、110.8 kHz帶寬、每通道51.5 mW
中速: 半速、55.4 kHz帶寬、每通道27.5 mW
生態(tài): 最低功耗、13.8 kHz帶寬、每通道9.375 mW
欲了解更多特性,請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)
產(chǎn)品詳情
AD7768是一款每通道集成Σ-Δ型調(diào)制器和數(shù)字濾波器的8通道、同步采樣Σ-Δ型模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),支持交流和直流信號(hào)的同步采樣。
AD7768在110.8 kHz最大輸入帶寬下實(shí)現(xiàn)108 dB動(dòng)態(tài)范圍,具備±2 ppm積分非線性(INL)、±50 μV失調(diào)誤差和±30 ppm增益誤差的典型性能。
AD7768用戶可在輸入帶寬、輸出數(shù)據(jù)速率和功耗之間進(jìn)行權(quán)衡。 選擇三種功耗模式之一優(yōu)化噪聲目標(biāo)和功耗。 AD7768的靈活性使其成為適合低功耗直流和高性能交流測(cè)量模塊的可重復(fù)使用的平臺(tái)。
AD7768提供豐富的數(shù)字濾波性能,如寬帶、±0.005 dB低通帶紋波、集成急劇滾降性能的抗混疊低通濾波器,以及在奈奎斯特頻率的105 dB衰減。
頻域測(cè)量可使用寬帶線性相位濾波器。 該濾波器在以下范圍具有平坦的通帶(±0.005 dB紋波):DC至102.4 kHz(256 kSPS),DC至51.2 kHz(128 kSPS)或DC至12.8 kHz(32 kSPS)。 AD7768還提供sinc響應(yīng)(通過sinc5濾波器)、低帶寬的低延遲路徑和低噪聲測(cè)量。 可為每個(gè)通道選擇并運(yùn)行寬帶和sinc5濾波器。
在這些濾波器選項(xiàng)內(nèi),用戶可通過從抽取速率×32、×64、×128、×256、×512和×1024中進(jìn)行選擇提高動(dòng)態(tài)范圍。改變抽取濾波的能力可對(duì)所需輸入帶寬的噪聲性能進(jìn)行優(yōu)化。
每個(gè)ADC通道的嵌入式模擬功能可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),如模擬輸入上的預(yù)充電緩沖器可減小模擬輸入電流,每通道的預(yù)充電基準(zhǔn)電壓緩沖器可減小基準(zhǔn)電壓輸入端的輸入電流和毛刺。
器件采用5 V AVDD1A和AVDD1B電源、2.25 V至5.0 V AVDD2A和AVDD2B電源以及2.5 V至3.3 V或1.8 V IOVDD電源供電(有關(guān)1.8 V IOVDD的具體電源供電要求,請(qǐng)參見“1.8 V IOVDD電源”部分)。
在本文檔中為明確起見,AVDD1A和AVDD1B電源稱為AVDD1和AVDD2A,AVDD2B電源稱為AVDD2。 對(duì)于負(fù)電源,AVSS用于指AVSS1A、AVSS1B、AVSS2A、AVSS2B和所有其它AVSS引腳。
器件的額定工作溫度范圍為?40°C至+105°C,提供12 mm × 12 mm、64引腳LQFP封裝。
在整篇數(shù)據(jù)手冊(cè)中,多功能引腳(如XTAL2/MCLK)由整個(gè)引腳名稱或引腳的單個(gè)功能表示(例如MCLK即表示僅與此功能相關(guān))。
應(yīng)用
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng): USB/PXI/以太網(wǎng)
儀器儀表和工業(yè)控制環(huán)路
音頻測(cè)試和測(cè)量
振動(dòng)和資產(chǎn)狀態(tài)監(jiān)控
3相電能質(zhì)量分析
聲納
高精度醫(yī)療EEG/EMG/ECG

AD7768 引腳圖

AD7768電路圖
| 型號(hào) | 制造商 | 描述 | 購(gòu)買 | 
|---|---|---|---|
| AD7768BSTZ-RL7 | - | - | 立即購(gòu)買 | 
| AD7768BSTZ-RL | - | - | 立即購(gòu)買 | 
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目前對(duì)帶寬的需求呈爆炸式增長(zhǎng),從而將載波頻率推高至幾十千兆赫。在這些高頻率下,客戶可使用更高的帶寬,不必?fù)?dān)心頻譜過度擁擠。但是,隨著頻率增加,針對(duì)這些器件和頻率的儀器儀表解決方案就會(huì)變得極其復(fù)雜,這是因?yàn)閮x器儀表解決方案需要提升一個(gè)數(shù)量級(jí)的性能,以避免損壞測(cè)試中的器件。本文將介紹幾種低相位噪聲信號(hào)生成方法的優(yōu)缺點(diǎn),并介紹轉(zhuǎn)換環(huán)路器件,這些器件在不增加復(fù)雜性的情況下充分利用所有頻率產(chǎn)生方法的優(yōu)點(diǎn),可以
先有問界是千萬之內(nèi)最好的SUV ;現(xiàn)在雷軍也放出豪言壯語;小米汽車性能堪比兩百萬油車。 近日雷軍在接受央視采訪時(shí),再度回應(yīng)了小米汽車售價(jià)。大家喊的9.9萬元、14.9萬元甚至19.9萬元都是開玩笑,最終售價(jià)會(huì)在發(fā)布上再正式公布,而且雷軍表示,小米汽車相當(dāng)于傳統(tǒng)燃油車兩三百萬豪車的性能,配置非常強(qiáng),成本也是非常高。 并且雷軍還放出豪言壯語小米要用10年時(shí)間成為全球新一代硬核科技引領(lǐng)者。
6G網(wǎng)絡(luò)將同時(shí)支持連接、感知、AI、計(jì)算、數(shù)據(jù)等多種服務(wù),網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)設(shè)計(jì)應(yīng)進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)邏輯功能的重構(gòu)、接口及協(xié)議的優(yōu)化﹐避免簡(jiǎn)單地功能和服務(wù)疊加造成架構(gòu)過于復(fù)雜。
隨著能源轉(zhuǎn)換和輸電技術(shù)的發(fā)展,對(duì)高效、高速、高溫工作的半導(dǎo)體器件需求日益增長(zhǎng)。
UIS測(cè)試由圖1中所示的測(cè)試電路執(zhí)行。在FET關(guān)閉時(shí),其上施加了一個(gè)電源電壓,然后檢查器件上是否有泄露。在FET接通時(shí),電感器電流穩(wěn)定增加。當(dāng)達(dá)到所需的電流時(shí),F(xiàn)ET被關(guān)閉,F(xiàn)ET上的Ldi/dt電壓擺幅在MOSFET擊穿電壓之上,從而激活了其內(nèi)在的寄生雙極晶體管,并在FET上出現(xiàn)有效的雪崩效應(yīng)。這項(xiàng)測(cè)試重復(fù)進(jìn)行,電流逐漸增加,直到開始的泄漏測(cè)試失敗,表明器件已被損壞。
| AD9554-1 | AD1938 | AD669 | ADG849 | 
| ADUM3223 | AT24C256C-SSHL-T | AD9850 | ADG1208 | 
| at45db161e-mhd-t | AD8346 | AD7730 | AD7653 | 
| AD628 | AD9761 | ADuM161N | ADAU1962 | 
| ADV7182 | ADP5304 | ADL5240 | ADAU7002 | 
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