ADG1609

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4.5 Ω RON、4通道、±5 V/+12 V/+5 V/+3.3 V多路復(fù)用器

制造商：ADI/AD

中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

ADG1609datasheet.pdf

產(chǎn)品信息

優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

導(dǎo)通電阻：4.5 Ω（典型值）

導(dǎo)通電阻平坦度：1 Ω

連續(xù)電流最高達(dá)470 mA

雙電源供電：±3.3 V至±8 V

單電源供電：3.3 V至16 V

無需VL電源

3 V邏輯兼容輸入

軌到軌工作

16引腳TSSOP和16引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝

產(chǎn)品詳情

ADG1608/ADG1609均為單芯片CMOS模擬多路復(fù)用器，分別內(nèi)置8個(gè)單通道和4個(gè)差分通道。ADG1608根據(jù)3位二進(jìn)制地址線A0、A1和A2所確定的地址，將8路輸入之一切換至公共輸出。ADG1609根據(jù)2位二進(jìn)制地址線A0和A1所確定的地址，將4路差分輸入之一切換至公共差分輸出。兩款器件均提供EN輸入，用來使能或禁用器件。禁用時(shí)，所有通道均關(guān)斷。

當(dāng)接通時(shí)，各開關(guān)在兩個(gè)方向的導(dǎo)電性能相同，輸入信號(hào)范圍可擴(kuò)展至電源電壓范圍。在斷開條件下，等于電源電壓的信號(hào)電平被阻止。所有開關(guān)均為先開后合式。設(shè)計(jì)本身具有低電荷注入特性，當(dāng)開關(guān)數(shù)字輸入時(shí)，可實(shí)現(xiàn)最小的瞬變。

這些開關(guān)具有低導(dǎo)通電阻特性，對(duì)于低導(dǎo)通電阻、低失真性能至關(guān)重要的數(shù)據(jù)采集和增益開關(guān)應(yīng)用堪稱理想解決方案。導(dǎo)通電阻曲線在整個(gè)模擬輸入范圍都非常平坦，可確保切換音頻信號(hào)時(shí)擁有出色的線性度和低失真性能。

CMOS結(jié)構(gòu)可確保功耗極低，因而該器件非常適合便攜式電池供電儀表。

應(yīng)用

通信系統(tǒng)

醫(yī)療系統(tǒng)

音頻信號(hào)路由

視頻信號(hào)路由

自動(dòng)測(cè)試設(shè)備

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

電池供電系統(tǒng)

采樣保持系統(tǒng)

繼電器替代方案

電路圖、引腳圖和封裝圖

ADG1609電路圖
ADG1609 引腳圖

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技術(shù)資料

標(biāo)題	類型	大?。↘B）	下載
AN-1024: 如何計(jì)算多路復(fù)用器的建立時(shí)間和采樣速率 (Rev. 0)	PDF	439	點(diǎn)擊下載
AN-1024: How to Calculate the Settling Time and Sampling Rate of a Multiplexer (Rev. 0)	PDF	210	點(diǎn)擊下載
UG-945: Evaluation Board for 16-Lead TSSOP Devices in the Switches and Multiplexers Portfolio (Rev. 0)	PDF	291	點(diǎn)擊下載

應(yīng)用案例更多案例

國(guó)芯思辰｜交直流PSR控制器CN1609替代MD8809用于電池充電器設(shè)計(jì)
此前，國(guó)芯思辰接觸的某工程師在電池充電器設(shè)計(jì)中需要一個(gè)低功耗高性能的交直流PSR控制器。這里提一下芯北科技的CN1609，該芯片非常適合物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)充電器、低待機(jī)功耗電源等應(yīng)用場(chǎng)景，其典型應(yīng)用電
2022-09-21
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Analog Devices Inc. EVAL-ADG1206LEBZ/EVAL-ADG1
Analog Devices Inc. EVAL-ADG1206LEBZ/EVAL-ADG1207LEBZ評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估ADG1206L/ADG1207L低電容多路復(fù)用器開關(guān)IC的功能
2025-06-17
基于555電路和VMOS管實(shí)現(xiàn)測(cè)井儀發(fā)射電路的改進(jìn)設(shè)計(jì)
...用條件及組合功能的要求較高?，F(xiàn)今大多數(shù)油田廣泛采用1609補(bǔ)償聲波測(cè)井儀，其發(fā)射電路因?yàn)?609補(bǔ)償聲波測(cè)井儀的發(fā)射電路存在缺陷，原電路中的CMOS場(chǎng)效應(yīng)管易于被擊穿而損壞。因此有些儀器改用可控硅代替CMOS場(chǎng)效應(yīng)管作發(fā)...
2020-10-27

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ADP195	AD7671	ADF7023-J	ADIS16210CMLZ
ADG751	ADP197	ADuM131E	AD7995
ADG715	ATA8203	ADG4612	ADG3123
ADP3331	ADG758	ADA4897-2	AD7418
AD9823	ADAU1966A	ADS8326	ADS130E08

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