FDP8D5N10C

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?N-Channel Shielded Gate PowerTrench

制造商：ON

中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

產(chǎn)品信息

This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench
process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Max RDS(on) = 8.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 76 A
High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr
Low Gate Charge, QG = 25nC ( Typ.)
High Power and Current Handling Capability
100% UIL Tested
RoHS Compliant

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技術(shù)資料

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TO-220 3 LEAD STANDARD	PDF	30	點(diǎn)擊下載
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET	PDF	969	點(diǎn)擊下載

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