FDZ1905PZ

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?-20Ｖ共用漏極P溝道1.5V額定PowerTrench? WL-CSP MOSFET

制造商：ON

中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

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產(chǎn)品信息

該器件專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)為單封裝解決方案，適合手機(jī)和其他超便攜應(yīng)用的電池充電開(kāi)關(guān)。 FDZ1905PZ采用飛兆先進(jìn)的1.5V PowerTrench
工藝和最新?°低間距?± WL-CSP封裝工藝設(shè)計(jì)而成，具有兩個(gè)共用漏極P溝道MOSFET，可提供雙向電流，最大限度地減小了PCB空間和r
。先進(jìn)的WL-CSP MOSFET彰顯了封裝技術(shù)的突破性進(jìn)展，使該器件將卓越的傳熱特性、超薄型封裝、低柵極電荷和低rS1S2(on)融合為一體。

最大 r
= 126mΩ（V
= -4.5V，I
= -1A 時(shí)）
最大 r
= 141mΩ（V
= -2.5V，I
= -1A 時(shí)）
最大 r
= 198mΩ（V
= -1.8V，I
= -1A 時(shí)）
最大r
= 303mΩ（V
= -1.5V，I
= -1A 時(shí)）
僅占1.5mm2的PCB空間，比2 x 2 BGA所占空間少50%
超薄封裝：安裝至PCB時(shí)，高度小于0.65 mm
高功率和高電流處理能力
HBM靜電放電保護(hù)等級(jí)為>4kV（注3）
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

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技術(shù)資料

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PCB Land Pattern Design and Surface Mount Guidelines for MicroFET? Packages	PDF	213	點(diǎn)擊下載
PSPICE	UNKNOW	162	點(diǎn)擊下載
WLCSP6 1.5x1x0.6	PDF	38	點(diǎn)擊下載
FDZ1905PZ-D.pdf	PDF	283	點(diǎn)擊下載
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETs	PDF	501	點(diǎn)擊下載
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETs	PDF	319	點(diǎn)擊下載
Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet Explanation	PDF	1588	點(diǎn)擊下載
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter	PDF	1707	點(diǎn)擊下載

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