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應(yīng)用案例更多案例

• 使用可解釋機(jī)器學(xué)習(xí)構(gòu)建多樣化投資組合

  　　對(duì)形狀值進(jìn)行聚類的想法基于 EU Horizon 項(xiàng)目FIN-TECH中最成功的 AI 用例，發(fā)布為可解釋機(jī)器學(xué)習(xí)在信用風(fēng)險(xiǎn)管理中的應(yīng)用。它

  2022-04-07
• 硬創(chuàng)早報(bào)：三星全球首秀3nm！電壓只需0.23V

  GAAFET技術(shù)又分為兩種類型，一是常規(guī)GAAFET，使用納米線(nanowire)作為晶體管的鰭(fin)，二是MBCFET(多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)，使用的鰭更厚更寬一些，稱之為納米片(nanosheet)。

  2021-03-23
• TCP三次握手過程及四次揮手過程說明

  三次握手 置位概念：根據(jù) TCP 的包頭字段，存在 3 個(gè)重要的標(biāo)識(shí) ACK、SYN、FIN ACK：表示驗(yàn)證字段 SYN：位數(shù)置 1，表示建立 TCP 連接 FIN：位數(shù)置 1，表示斷開 TCP

  2021-03-01
• 基于主流的體硅高κ/金屬柵FinFET工藝，提出了一種利用拐角效應(yīng)

  近期，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員殷華湘帶領(lǐng)的科研團(tuán)隊(duì)基于主流的體硅高κ/金屬柵FinFET工藝，提出了一種利用拐角效應(yīng)，在鉆石形Fin溝道頂部尖端實(shí)現(xiàn)載流子局域化，并借助柵極兩邊側(cè)墻的電勢(shì)限制，

  2021-02-20
• 便攜式電子系統(tǒng)中甲乙類存儲(chǔ)單元的應(yīng)用及設(shè)計(jì)方案

  采用HSPICE分別對(duì)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元、延遲單元和積分器電路進(jìn)行了仿真，晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V；輸入電流iin=40μA，信號(hào)頻率fin=100 kHz

  2021-02-18
• 利民發(fā)布PA90SE散熱器，兼容高馬甲內(nèi)存，配備9225規(guī)格風(fēng)扇

  散熱器主體部分由四根先進(jìn)的AGHP逆重力鍍鎳熱管構(gòu)成，配備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的回流焊銅底及0.4毫米全鋁穿FIN鰭片，另外還搭配了9225規(guī)格的TL-P9“迷你性能扇”。

  2024-04-03
• 3D-IC中三個(gè)不同層次的3D是什么

  隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當(dāng)特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對(duì)于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng)，逐漸被一種新型的晶體管所取代，即鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Fin FET）。

  2024-04-02
• 用戀愛的方式解釋TCP的三次握手和四次揮手

  的）熱戀時(shí)傳輸了n個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)之后，開始分手流程分手時(shí)客戶端說：FIN（分手了啦?。┙又?wù)器說：ACK（分就分啦?。┓?wù)器接著又說：FIN（記住是我先分的）客戶端說

  2022-08-27

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