MCT5211M

制造商：ON

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應(yīng)用案例更多案例

• 硅基MCT紅外探測(cè)器的鈍化初步研究

  碲鎘汞（MCT）材料的表面鈍化是紅外探測(cè)器制備中的關(guān)鍵工藝之一。高性能MCT器件需要穩(wěn)定且可重復(fù)生產(chǎn)的鈍化表面和符合器件性能要求的界面。因此，探究MCT表面鈍化技術(shù)具有重要意義。國(guó)際上，MCT鈍化

  2023-09-12
• 長(zhǎng)波MCT紅外探測(cè)器暗電流測(cè)試分析

  在長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的暗電流分析的基礎(chǔ)上，文中基于電壓?電流轉(zhuǎn)換法以及電流存儲(chǔ)型的背景抑制結(jié)構(gòu)，通過背景信號(hào)放大?縮小原理設(shè)計(jì)了16元的具有背景抑制功能的長(zhǎng)波讀出電路。

  2021-05-24
• CS5211DP轉(zhuǎn)LVDS方案 ASL集睿致遠(yuǎn)cs5211電路圖 CS5211規(guī)格書

  CS5211是一個(gè)eDP到LVDS轉(zhuǎn)換器，配置靈活，適用于低成本顯示系統(tǒng)。CS5211與eDP 1.2兼容，支持1通道和2通道模式，每通道速度為1.62Gbps和2.7Gbps。CS5211采用強(qiáng)大

  2023-07-21
• Texas Instruments MCT8316AEVM評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

  Texas Instruments MCT8316AEVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 設(shè)計(jì)用于幫助工程師設(shè)計(jì)、實(shí)施和驗(yàn)證MCT8316A的參考硬件。MCT8316A是三半H橋集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  2025-09-16
• MCT8315ZEVM 無(wú)傳感器BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估模塊深度解析

  Texas Instruments MCT8315ZEVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 這次用戶評(píng)估MCT8315Z電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能。評(píng)估模塊包括一個(gè)板載FTDI芯片，用于將USB通信

  2025-09-07
• 基于MCT8315A的無(wú)傳感器BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

  高達(dá)4A峰值電流的12V至24V BLDC電機(jī)。MCT8315A驅(qū)動(dòng)器集成了三個(gè)?橋，具有40V絕對(duì)最大電壓和240mΩ（高側(cè)+低側(cè)FET）低R ~DS(ON)~ 。該BLDC驅(qū)動(dòng)器具有內(nèi)置電源管理電路，包括可用于為外部電路供電的電壓可調(diào)降壓穩(wěn)壓器和LDO。

  2025-09-01
• 24bit ADC MCT1248，P2P TI 產(chǎn)品 ADS1248

  高精度24bit ADC-MCT1248

  2023-11-29
• MCT2 MCT2E電壓波形電路圖

  MCT2 MCT2E電壓波形電路圖

  2017-03-29

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