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| 型號 | 制造商 | 描述 | 購買 | 
|---|---|---|---|
| NV25640DTHFT3G | - | - | 立即購買 | 
| 標題 | 類型 | 大小(KB) | 下載 | 
|---|---|---|---|
| TSSOP8, 4.4x3 | 54 | 點擊下載 | |
| 64-Kb SPI Serial CMOS EEPROM | 200 | 點擊下載 | 
DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM,
新一代NV SRAM技術 第一代NV SRAM模塊問世近20年來,NV SRAM技術不斷更新,以保持與各種應用同步發(fā)展,同時滿足新的封裝技術不斷增長的需求。 發(fā)展與現(xiàn)狀
...度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲器FM25640B。
最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm 的QFN封裝內。這個封裝增加了一個大的冷卻片,用于降低封裝的熱阻和提高散熱性能。 這種封裝使高密度電源的設計更加可靠,特別是對于沒有氣流的全封閉充電器和適配...
據(jù)國外媒體報道,Mobileye NV正在利用母公司英特爾的芯片制造技術開發(fā)激光傳感器。該公司表示,到2025年,自動駕駛汽車的價格將變得足夠低廉,可以在消費者中普及開來。
NVIDIA 的最新嵌入模型 NV-Embed —— 以 69.32 的分數(shù)創(chuàng)下了嵌入準確率的新紀錄海量文本嵌入基準測試(MTEB)涵蓋 56 項嵌入任務。
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元(訪問時間高達20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲元件相結合,可提供快速的異步讀寫訪問速度,并在其整個工作范圍
| NCP1271 | NCP303 | NCP1308 | NCP1244 | 
| NCV7718B | NCV7720 | NCP1631 | NCV7344 | 
| NLSV2T244 | NTMFD5C650NL | NCP392D | NB6L295 | 
| NCS2632 | NSI50350AD | NE555 | NCV7428 | 
| NCN6001 | NC7ST86 | NCP372 | NSI45025Z |