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描述:
該AT45DB161是一個只有2.7伏,串行接口閃存適合于-系TEM重新編程。其17301504位存儲器組織為4096頁
528字節(jié)每個。除了在主存儲器中, AT45DB161還包含兩個每528字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。該緩沖器允許接收
而數(shù)據(jù)在主存儲器頁面進行重新編程。
特點:
1、單2.7V - 3.6V電源
2、串行接口架構(gòu)
3、頁編程操作
- 單周期重新編程(擦除和編程)
- 4096頁( 528字節(jié)/頁)主內(nèi)存
4、可選頁和塊擦除操作
5、兩個528字節(jié)的SRAM數(shù)據(jù)緩沖區(qū) - 允許接收數(shù)據(jù)
而非易失性存儲器重新編程
6、內(nèi)部的計劃和控制的定時器
7、快速頁編程時間 - 7毫秒典型
8、120 μ?典型的頁面,以緩沖傳輸時間
9、低功耗
- 4毫安有效的讀電流典型
– 3μ一種CMOS待機電流典型
10、13 MHz的最大時鐘頻率
11、硬件數(shù)據(jù)保護功能
12、串行外設(shè)接口( SPI )兼容 - 模式0和3
13、CMOS和TTL兼容輸入和輸出
14、商用和工業(yè)溫度范圍

AT45DB161E-MHF-T電路圖

AT45DB161E-MHF-T 引腳圖

AT45DB161E-MHF-T 引腳圖

AT45DB161E-MHF-T 引腳圖

AT45DB161E-MHF-T 引腳圖

AT45DB161E-MHF-T 封裝圖

AT45DB161E-MHF-T 封裝圖

AT45DB161E-MHF-T 封裝圖

AT45DB161E-MHF-T 封裝圖
因此,該Dataflash存儲容量大,讀寫速度快,抗干擾能力強,在行駛記錄儀中作存儲器是較好的選擇。本文給出了采用ATMEL的AT45DB161B來存儲數(shù)據(jù)的記錄儀設(shè)計方案。
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| ADM8695 | AD8572 | ADL5725 | ADG432 | 
| AD5440 | ADP1876 | ADSP-BF512 | ADL5535 | 
| ADF7022 | AD7397 | ADUM3100 | AD9978A |