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    中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片 打破IGBT技術(shù)壟斷

    2014-11-26

     中國南車株洲25日對(duì)外公布,裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試,并穩(wěn)定運(yùn)行一萬公里,各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國際先進(jìn)水平。


    這意味著,由中國南車株洲所下屬公司南車時(shí)代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷,實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。


     IGBT
    是一種新型功率半導(dǎo)體器件,中文全名絕緣柵雙極型晶體管。作為電力電子裝置的心臟,IGBT在國家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。


    由于國內(nèi)IGBT技術(shù)起步較晚,受制于人,發(fā)展艱難而緩慢。國內(nèi)大功率IGBT市場一直被國外公司壟斷。

    2008
    年,南車時(shí)代電氣成功并購英國丹尼克斯半導(dǎo)體公司。經(jīng)過4年的技術(shù)消化、吸收與再創(chuàng)新,20125月,中國南車株洲所在株洲投資15億元人民幣,建設(shè)國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線,并于20146月正式投產(chǎn)。10月,自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗(yàn),并于當(dāng)月底裝載至昆明地鐵1號(hào)線的城軌車輛。


    行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,中國現(xiàn)已成為全球最大的電力電子器件消費(fèi)市場,僅IGBT產(chǎn)品在國內(nèi)的市場需求規(guī)模就已超過100億元。此次成功試運(yùn)行,拉開了國產(chǎn)8英寸IGBT芯片應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域的序幕。

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