電路原理：

至今單片及混合功率IC幾乎都不能獲得滿意的高頻特性。如圖3-31所示電路是三洋厚膜IC STK084G的應(yīng)用圖，在20KHZ以內(nèi)，輸出功率50W，失真率僅為0.003%。

電路主要部分已IC化，故外加零件以大電容量電容器為主。如圖3-32所示為STK084G內(nèi)部電路。輸入級(jí)由VT4及VT5組成的電流鏡像電路，把PNP差動(dòng)放大輸出變換為單端輸出，同時(shí)得到較大的增益，中間級(jí)處理大的振幅，也決定放大器轉(zhuǎn)換速率，所以應(yīng)盡量以大電流驅(qū)動(dòng)，VT8組成的共基極電路消除米勒效應(yīng)所導(dǎo)致的高頻特性惡化。

VT1與VT6為恒流源偏置電路，可以抵制電源變動(dòng)造成的影響。VT7則為輸出三極管提供偏置，消除基極與發(fā)射極之間電壓V非線性過(guò)渡區(qū)，還有溫度補(bǔ)償?shù)淖饔谩?/p>

元器件選擇：