上世紀80年代，芯片的TSOP封裝技術出現(xiàn)，得到了業(yè)界廣泛的認可。TSOP封裝有一個非常明顯的特點，就是成品成細條狀長寬比約為2：1，而且只有兩面有腳，適合用SMT技術（表面安裝技術）在PCB（印制電路板）上安裝布線。TSOP封裝外形尺寸時，寄生參數(shù)(電流大幅度變化時，引起輸出電壓擾動) 減小，適合高頻應用，操作比較方便，可靠性也比較高，同時TSOP封裝具有技術簡單、成品率高、造價低廉等優(yōu)點，因此得到了極為廣泛的應用。

　　TSOP可以通過SMD制作成SD卡、MiniSD卡、CF卡或是集成到MP3/MP4、移動存儲器等不同的終端產(chǎn)品中，具有柔韌性。TSOP封裝方式中，內(nèi)存芯片是通過芯片引腳焊接在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB板傳熱就相對困難。而且TSOP封裝方式的內(nèi)存在超過150MHz后，會產(chǎn)生較大的信號干擾和電磁干擾。

　　單芯片TSOP生產(chǎn)工藝流程比較簡單，只需要經(jīng)過一次貼片、一次烘烤、一次引線鍵合就可以了，流程如圖1：

　　我們可以根據(jù)封裝名稱來識別疊層芯片封裝中有多少個芯片。比如，“TSOP2+1”就是指一個TSOP封裝體內(nèi)有兩個活性芯片(ActiveDie)、一個空白芯片(Spacer)，如果我們說“TSOP3+0”，那就是說一個TSOP封裝體內(nèi)有三個活性芯片、沒有空白芯片，以此類推。

　　圖2是最典型的TSOP2+1的封裝形式剖面和俯視圖，上下兩層是真正起作用的芯片（ActiveDie），中間一層是為了要給底層芯片留出焊接空間而加入的空白芯片（Spacer）?？瞻仔酒?Spacer)由硅片制成，里面沒有電路。

　　我們以最簡單的二芯片疊層封裝（TSOP2+X）為例查看其工藝流程：

　　方法一，仍然沿用單芯片封裝的液態(tài)環(huán)氧樹脂作為芯片粘合劑、多次重復單芯片的工藝，其工藝流程如下：

　　方法二，使用環(huán)氧樹脂薄膜作為芯片貼合劑。這種方法需要改變原材料，用環(huán)氧樹脂薄膜膠帶替代傳統(tǒng)的藍膜（如SPV224）。下圖是使用環(huán)氧樹脂薄膜膠替代藍膜后裝片工序的情形，裝片完成后，環(huán)氧樹脂薄膜就已經(jīng)和芯片粘在了一起，在貼片工序時我們只需要將芯片貼到引線框架上，不再需要在引線框架涂一層液態(tài)環(huán)氧樹脂，這就大大簡化了工藝。工藝流程如下：

　　采用上述兩種方法來實現(xiàn)TSOP2+1封裝都是可行的。對比以上兩種工藝，我們可以發(fā)現(xiàn)第二種工藝流程少了兩次烘烤，方法二生產(chǎn)工藝簡單、生產(chǎn)周期更短，而且，由于多次烘烤會造成引線框架氧化及芯片粘污，烘烤次數(shù)減少對提高成品率和減少可靠性失效也很有好處。

　　將方法二簡化，于是就得到了另一種實現(xiàn)兩層芯片疊層封裝的方法，即TSOP2+0，采用環(huán)氧樹脂薄膜作為芯片貼合劑，將兩個芯片錯開一點位置留出焊區(qū)域，僅一端有焊線。

　　方法三，如果我們使用的設備可以同時完成多次貼片，那么實際的貼片工序就更加簡單，即只有一次，這樣它的生產(chǎn)工藝甚至比單芯片封裝還簡單。但是這種方法需要改變晶圓的生產(chǎn)工藝，將焊盤都放置在芯片的一端。

　　上述三種疊層芯片的封裝工藝，方法一使用環(huán)氧樹脂銀漿，成本低，但是工藝難度很高、成品率低，即使是最簡單的TSOP2+1其成品率能達到99.5%就幾乎不可能再提升了，由于其工藝性差，目前不能使用在更高密度的封裝中。方法二中雖然環(huán)氧樹脂薄膜成本高，但是由于環(huán)氧樹脂薄膜是在裝片(W/M)的時候粘貼到芯片背面，不必考慮液態(tài)環(huán)氧樹脂工藝的復雜性，所以工藝簡單、成品率可達99.9%。方法三由于只有兩次貼片(D/A)、一次引線鍵合(W/B)，所以不僅工藝簡單、成品率高，可以穩(wěn)定在99.90%以上，而且成本相對也比較低。如果我們將成品率與成本相結(jié)合，最好的方法顯然是第三種，成本最低、工藝最簡單。但是，這種工藝有其局限性，需要改變芯片的制作布局，將焊盤布置在芯片的一端，如果晶圓的布線無法做到，則無法實現(xiàn)。

　　第二、第三種方法都可以用于更高密度的封裝中，TSOP4+0、TSOP5+0、TSOP4+3等都是在TSOP2+X基礎上發(fā)展起來的。

　　疊層芯片封裝是封裝技術發(fā)展的主流，因為它符合了封裝技術發(fā)展的趨勢即：大容量、高密度、多功能、低成本。和過去單芯片封裝技術相比，它打破了單純以封裝類型的更替來實現(xiàn)大容量、高密度、多功能、低成本的限制，而且，由于疊層技術的出現(xiàn)，它讓一些似乎已經(jīng)過時的封裝類型重新煥發(fā)生機。

　　2006年對于TSOP封裝來講是非常重要的一年。由于TSOP封裝的容積率和運行速度不及BGA封裝，這種曾經(jīng)廣泛應用于DRAM的封裝類型在DDR/DDRII中已經(jīng)消失。但是隨著數(shù)碼產(chǎn)品的大量普及，人們對大容量、高密度、低成本的存儲卡的需求激增，它已經(jīng)成了僅次于SIP的NAND存儲器的封裝類型。

　　在TSOP的封裝技術發(fā)展方面，主要有TSOP2+0、TSOP2+1、TSOP3+0、TSOP4+0、TSOP5+0、TSOP4+3等，其技術已經(jīng)非常成熟、成品率高。由于芯片面積越來越大，為了解決焊接空間的不足，一些在SIP封裝中得到應用的新技術也將開始出現(xiàn)在TSOP高密度封裝中。為了解決由于SIP的柔韌性不足的問題，TSOPSIP也會成為另一發(fā)展方向。