購物車
上傳BOM
場截止 IGBT 技術(shù)
ON Semiconductor 的場截止 IGBT （Field Stop (FS) IGBT Technology）具有高輸入阻抗和高電流能力
發(fā)布時(shí)間：2018-12-21
ON Semiconductor 的場截止 (FS) IGBT 技術(shù)能讓設(shè)計(jì)人員開發(fā)出具有更高輸入電壓，提供最佳性能的高度可靠的系統(tǒng)，以支持需要低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗的應(yīng)用。 IGBT 具有高電流處理能力、正溫度系數(shù)、緊密的參數(shù)分布和寬安全工作區(qū)。 更高的擊穿電壓提高了負(fù)環(huán)境溫度下的可靠性。 隨著溫度下降，IGBT 和 RFD 的阻斷電壓也會(huì)隨之降低，使得這些器件極其適用于在寒冷地區(qū)安裝的光伏太陽能逆變器。 因?yàn)?IGBT 和續(xù)流二極管的選用是實(shí)現(xiàn)高能效的關(guān)鍵，ON Semiconductor IGBT 提供快速軟恢復(fù)，降低了功率耗散并實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通和關(guān)斷損耗。 ON Semiconductor FS 技術(shù)帶來了高性能，同時(shí)又不犧牲可靠性和堅(jiān)固性，并致力于持續(xù)改進(jìn) IGBT 性能。 我們的第四代技術(shù)開發(fā)實(shí)現(xiàn)了出色的平衡特性和更穩(wěn)固的動(dòng)態(tài)閂鎖效應(yīng)，其性能優(yōu)于任何其它 FS IGBT。白皮書 - 詳細(xì)分析和性能結(jié)果
場截止 IGBT 技術(shù)特性
最高結(jié)溫：Tj = 175 °C
正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)工作
零件 100% 經(jīng)過 ILM(1) 測試
低飽和電壓：
VCE(sat) = 1.8 V（典型值）@ IC = 30 A、40 A、60 A高輸入阻抗
開關(guān)速度快
緊密的參數(shù)分布
符合 RoHS 規(guī)范
高電流能力
場截止 IGBT 技術(shù)應(yīng)用
焊機(jī)和工業(yè)應(yīng)用以及功率因數(shù)校正
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FGA4060ADF | IGBT-晶體管 | 在線訂購 | ||
 | | FGY75N60SMD | IGBT-晶體管 | ￥36.30000 | 在線訂購 | |
 | | FGY40T120SMD | IGBT-晶體管 | 安森美半導(dǎo)體的新型場截止溝槽 IGBT 系列采用創(chuàng)新的場截止溝槽 IGBT 技術(shù)，為太陽能逆變器、UPS、焊接機(jī)和 PFC 等硬開關(guān)應(yīng)用提供最佳性能。 | 在線訂購 |
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價(jià)格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | FGH40T65UPD | IGBT-晶體管 | 在線訂購 | ||
 | | FGA20S140P | MOSFETs-晶體管 | IGBT Trench Field Stop 1400V 40A 272W Through Hole TO-3PN | 在線訂購 |
應(yīng)用案例
資訊基于onsemi NCP12400的20W醫(yī)療級插墻式適配器：高效、安全的居家醫(yī)療電源解決方案2025-04-28
NCP12400提供了一種全新的解決方案，目標(biāo)輸出功率級別從幾瓦到100w的通用電源反激應(yīng)用。由于采用了一種新穎的方法，可以很好的實(shí)現(xiàn)輕載的功耗,在不同的負(fù)載下可以很好的控制，不會(huì)發(fā)生不穩(wěn)定的抖動(dòng)狀況，可以很好的改善負(fù)載效率,具體有如下特點(diǎn)
資訊安森美助力NVIDIA AI系統(tǒng)檢測實(shí)驗(yàn)室2025-07-10
物理AI正在為自動(dòng)駕駛和機(jī)器人開發(fā)技術(shù)的交叉領(lǐng)域釋放新的可能性，尤其是加速了自動(dòng)駕駛汽車的開發(fā)。正確的技術(shù)與框架對確保自動(dòng)駕駛汽車駕駛員、乘客和行人的安全至關(guān)重要。近日，NVIDIA推出了NVIDIA Halos綜合安全系統(tǒng)，將NVIDIA的汽車硬件、軟件安全解決方案與其自動(dòng)駕駛汽車安全領(lǐng)域前沿的AI研究相結(jié)合。
資訊安森美SiC JFET產(chǎn)品應(yīng)用研討會(huì)預(yù)告2025-07-10
隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電力電子技術(shù)的進(jìn)步，固態(tài)斷路器 (SSCB) 的性能持續(xù)提升。新型半導(dǎo)體材料（如碳化硅）提供了更高的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通損耗和更高的耐壓能力，從而提升了固態(tài)斷路器的效率和可靠性。
資訊安森美EliteSiC MOSFET與柵極驅(qū)動(dòng)器在電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)的應(yīng)用2025-07-10
在歐盟2035年零排放目標(biāo)等雄心勃勃的計(jì)劃推動(dòng)下，從化石燃料向電動(dòng)汽車(EV)的轉(zhuǎn)型正在加速。為了吸引消費(fèi)者，電動(dòng)汽車必須擁有足夠的續(xù)航里程，支持快速充電，而且要經(jīng)濟(jì)實(shí)惠。在這一變革中，碳化硅(SiC)半導(dǎo)體，尤其是MOSFET器件，是大幅提升電力電子性能的關(guān)鍵技術(shù)。
資訊高效低功耗：基于onsemi NCP1341的65W適配器電源方案2025-04-16
如何實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗的完美結(jié)合？在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電源適配器的性能和效率至關(guān)重要。onsemi推出的NCP1341B1反激式控制器，為設(shè)計(jì)高性能離線功率轉(zhuǎn)換器提供了創(chuàng)新解決方案。本文將詳細(xì)解析基于NCP1341B1的65W適配器電源方案，揭示其核心技術(shù)優(yōu)勢及應(yīng)用場景。
資訊安森美助力汽車制造商向區(qū)域控制架構(gòu)轉(zhuǎn)型2025-07-10
三十年前，汽車堪稱機(jī)械工程領(lǐng)域的奇跡之作，但以如今的標(biāo)準(zhǔn)來看，其構(gòu)造相當(dāng)簡單。入門級汽車僅配有收音機(jī)和電子點(diǎn)火裝置。車窗升降器是手動(dòng)的。儀表盤上裝有機(jī)電式速度計(jì)和一些警示燈。電力通過儀表盤上的開關(guān)直接從電池傳輸至前大燈。那時(shí)的汽車沒有防抱死制動(dòng)系統(tǒng)(ABS)和安全氣囊，也沒有中央計(jì)算機(jī)。所有部件都使用模擬信號，并且相互獨(dú)立。
資訊onsemi FIN3386MTDX LVDS串行解串器參數(shù)特性,數(shù)據(jù)手冊與EDA模型下載2025-07-09
onsemi FIN3386MTDX LVDS串行解串器參數(shù)特性,數(shù)據(jù)手冊與EDA模型下載
資訊解鎖高效驅(qū)動(dòng)！onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅(qū)動(dòng)器評估板全解析2025-07-09
NCP51752是一款隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品，具備+4.5A源極電流和-9A吸收峰值電流，專為快速切換設(shè)計(jì)，能夠驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和SiCMOSFET功率開關(guān)。該系列產(chǎn)品提供短而匹配的傳播延遲，同時(shí)通過嵌入式負(fù)偏置軌機(jī)制（位于GND2和VEE引腳之間）進(jìn)一步提升可靠性、增強(qiáng)dV/dt免疫力，并實(shí)現(xiàn)更快速的關(guān)斷性能。本用戶指南專為NCP51752評估板設(shè)計(jì)，建議與NC
工商網(wǎng)監(jiān)