free性丰满hd毛多多,久久综合给合久久狠狠狠97色69 ,欧美成人乱码一区二区三区,国产美女久久久亚洲综合,7777久久亚洲中文字幕

尊敬的客戶:為給您持續(xù)提供一對一優(yōu)質(zhì)服務(wù),即日起,元器件訂單實(shí)付商品金額<300元時,該筆訂單按2元/SKU加收服務(wù)費(fèi),感謝您的關(guān)注與支持!
    主頁所有制造商UNITEDRHA系列螺釘端子鋁電解電容器

    RHA系列螺釘端子鋁電解電容器

    RHA系列螺釘端子鋁電解電容器

    United Chemi-Con推出其RHA系列(RHA Series Screw Terminal Aluminum Electrolytic Capacitors),額定工作溫度為85°C,最高650 VDC,工作時間為5,000小時,適用于高壓/功率逆變器應(yīng)用

    發(fā)布時間:2018-06-14

    United Chemi-Con的 RHA系列螺釘端子安裝鋁電解電容器具有高額定紋波電流能力,適用于高壓/功率逆變器應(yīng)用。


    RHA系列的額定壽命為5,000小時,在85°C時施加滿額定紋波電流,額定電壓高達(dá)650 V DC標(biāo)準(zhǔn),定制設(shè)計高達(dá)800 V DC。


    RHA系列可以更低的成本替代變頻器設(shè)計中的薄膜電容器,具有出色的容積效率。


    RHA系列螺釘端子鋁電解電容器特性

    • 耐久性:在-25°C至85°C下5,000小時

    • 電壓:500 V DC  至650 V DC

    • 電容:1,000μF至15,000μF

    • 尺寸:φ50mm x 95 mm L至φ100mm x 250 mm L.


    RHA系列螺釘端子鋁電解電容器應(yīng)用

    1. 逆變器

    2. 大容量存儲

    應(yīng)用案例

    • 資訊UnitedSiC SiC FET用戶指南2023-12-06

      UnitedSiC SiC FET用戶指南

    • 資訊UnitedSiC FET-Jet計算器成為更好的器件選擇工具2022-10-11

      UnitedSiC FET-Jet計算器讓為功率設(shè)計選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計工程師只需:

    • 資訊寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)為實(shí)現(xiàn)更高效功率轉(zhuǎn)換打開大門2022-09-29

      電動車是車輪上的數(shù)據(jù)中心,具有工業(yè)規(guī)模的電動機(jī)控制(圖1),它的可行性取決于牽引逆變器和充電電路的效率。效率每提高一個百分點(diǎn)都能促進(jìn)散熱需求降低、重量減輕、單次充電行駛里程增加和成本降低,這構(gòu)成了一個良性循環(huán)。

    • 資訊Qorvo 收購 UnitedSiC,擴(kuò)大電力電子業(yè)務(wù)范圍2022-08-03

      通過收購 SiC 功率半導(dǎo)體公司 UnitedSiC,Qorvo 已將其影響力擴(kuò)展到快速增長的電動汽車 (EV)、工業(yè)電源控制、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)市場。Qorvo 可編程電源高級總監(jiān) David Briggs 和 UnitedSiC 前總裁兼首席執(zhí)行官、現(xiàn)任 Qorvo 功率器件解決方案總經(jīng)理 Chris Dries 在接受《電力電子新聞》采訪時談到了此次收購的某些方面和市場影響。 Dries 引用 Qorvo 對 Active-Semi 的收購作為其對電力電子產(chǎn)品興趣的觸發(fā)因素。該公司的目標(biāo)是利用 UnitedSiC 的核心競爭力和化合物

    • 資訊UnitedSiC提供七個采用七引腳設(shè)計的新750V SiC FET2022-08-01

      許多人選擇“七”這個數(shù)字是因?yàn)樗摹靶疫\(yùn)”屬性,而UnitedSiC選擇它則當(dāng)然是因?yàn)槠邆€引腳非常適合D2PAK半導(dǎo)體封裝。

    • 資訊UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析2022-08-01

      UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝的9mOhm導(dǎo)通電阻,擴(kuò)大了性能領(lǐng)先地位。 新型碳化硅 FET 采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝。提供業(yè)界額定值最低的 RDS(on),是同類產(chǎn)品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時間額定值的器件(參見Figure 1)。

    • 資訊UnitedSiC第四代技術(shù)提供TO247-4L封裝2022-06-06

      UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列,將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。

    • 資訊UnitedSiC推出具有顯著優(yōu)勢的第四代SiC FET2022-05-23

      2020年 750V第四代SiC FET 誕生時,它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚,以 6毫歐 器件為例,品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半,由于體二極管反向恢復(fù)能量,動態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉能量Etot顯著降低,而 短路耐受時間 和體二極管浪涌電流提高到了兩倍以上。 這些進(jìn)步使得SiC FET在效率和成本至關(guān)重要的系統(tǒng)中遙遙領(lǐng)先于競爭性技術(shù):IGBT、Si-MOSFET、SiC-MOSFET,甚至GaN,例如在電動車/太陽能逆變器中、電池充電器中、PFC級中以及一般的直流和交直流轉(zhuǎn)換中。

    Copyright ?2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粵ICP備14022951號工商網(wǎng)監(jiān)認(rèn)證 工商網(wǎng)監(jiān) 營業(yè)執(zhí)照