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    主頁(yè)所有制造商Alliance MemoryAS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM

    AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM

    AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM

    Alliance Memory 提供其 32 M(2 M x 16 / 4 M x 8 可切換式)AS6C3216 IC 高密度、低功耗 CMOS SRAM(AS6C3216 High-Density, Low-Power 32 M CMOS SRAM)

    發(fā)布時(shí)間:2018-06-14

    Alliance Memory 的 AS6C3216 是一款 33,554,432 位的低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)空間為 2,097,152 字 x 16 位或 4,194,304 字 x 8 位。該器件采用高性能、高可靠性 CMOS 技術(shù)制造。其待機(jī)電流在工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。AS6C3216 非常適合低功耗應(yīng)用,尤其是適合采用電池后備電源的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。AS6C3216 工作時(shí)采用 2.7 V ~ 3.6 V 的單電源供電,且所有輸入和輸出都均完全兼容 TTL。

    AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM特性

    • 使用 2.7 V 至 3.6 V 單電源供電

    • 55 ns 快速訪問(wèn)時(shí)間

    • 低功耗,典型工作電流為 45 mA,待機(jī)電流為 10 μA

    • 最小 1.2 V 數(shù)據(jù)保持

    • 全靜態(tài)工作和三態(tài)輸出

    • 全 TTL 兼容型輸入和輸出

    • 48 引腳、12 mm x 20 mm TSOP-I 封裝和 48 焊球 8 mm x 10 mm TFBGA 封裝

    AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM應(yīng)用

    1. 低功耗工業(yè)、電信、醫(yī)療和汽車(chē)應(yīng)用

    2. 采用電池后備電源的非易失性存儲(chǔ)器

    AS6C3216 Series
    圖片數(shù)據(jù)手冊(cè)產(chǎn)品型號(hào)產(chǎn)品分類(lèi)產(chǎn)品描述價(jià)格操作
    AS6C3216A-55TINSRAM存儲(chǔ)器-存儲(chǔ)器在線(xiàn)訂購(gòu)

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