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    主頁(yè)所有制造商Alliance MemoryAS4C512M16D3L 高速、低壓 CMOS DDR3L SDRAM

    AS4C512M16D3L 高速、低壓 CMOS DDR3L SDRAM

    AS4C512M16D3L 高速、低壓 CMOS DDR3L SDRAM

    Alliance Memory 推出 AS4C512M16D3L 單片高速、低壓 CMOS 雙倍數(shù)據(jù)速率 3 同步 DRAM(AS4C512M16D3L High-Speed, Low-Voltage CMOS DDR3L SDRAM)

    發(fā)布時(shí)間:2018-06-14

    Alliance Memory 的 AS4C512M16D3L 單片高速、低壓 CMOS 雙倍數(shù)據(jù)速率 3 同步 DRAM (DDR3L SDRAM) 采用 8GB 密度 96 焊球、9 mm x 14 mm、無(wú)鉛 (Pb) FBGA 封裝。該單芯片器件帶有最小的芯片散熱器,為大量類似解決方案提供了一種可靠的直接替代式、引腳對(duì)引腳兼容的替代品。它們配套采用了新一代微處理器,廣泛用于各種工業(yè)、醫(yī)療、網(wǎng)絡(luò)、電信和航空航天應(yīng)用,無(wú)需昂貴的重新設(shè)計(jì)和零件重復(fù)鑒定。這種 8 GB DDR3L 是既需要增加存儲(chǔ)空間又面臨著板空間限制的應(yīng)用的邏輯選擇。

    AS4C512M16D3L 高速、低壓 CMOS DDR3L SDRAM特性

    • 采用 96 焊球、9 mm x 14 mm、無(wú)鉛 (Pb) FBGA 封裝

    • 由 Micron Technology 提供的先進(jìn)硅器件

    • 高達(dá) 1600 Mbps/引腳和 800 MHz 時(shí)鐘速率的極快傳輸速率

    • 采用商業(yè)擴(kuò)展溫度范圍(0°C 至 +95°C)和工業(yè)溫度范圍(-40°C 至 +95°C)

    • 內(nèi)部配置為 8 組 64 M x 16 位(參數(shù) 512 M x 16)存儲(chǔ)空間

    • 使用 +1.35 V 單電源供電

    • 全同步工作

    • 可編程讀或?qū)戔Оl(fā)長(zhǎng)度為 4 或 8

    • 自動(dòng)預(yù)充電功能可在猝發(fā)序列結(jié)束時(shí)啟動(dòng)自定時(shí)的行預(yù)充電

    • 易于使用的刷新功能包括自動(dòng)刷新或自主刷新

    • 可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最適合的模式,從而最大限度提升性能

    High-Speed Low-Voltage CMOS DDR3L SDRAM
    圖片數(shù)據(jù)手冊(cè)產(chǎn)品型號(hào)產(chǎn)品分類產(chǎn)品描述價(jià)格操作
    AS4C512M16D3L-12BINMRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器-存儲(chǔ)器IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA在線訂購(gòu)
    AS4C512M16D3L-12BCNMRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器-存儲(chǔ)器IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA在線訂購(gòu)

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