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    主頁所有制造商Alliance MemoryAS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM

    AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM

    AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM

    Alliance Memory 針對需要高存儲(chǔ)器帶寬的產(chǎn)品推出高速 CMOS DDR1 SDRAM(AS4CxM16D1 High-Speed CMOS DDR1 SDRAMs)

    發(fā)布時(shí)間:2018-06-14

    Alliance Memory 的 AS4C4M16D1、AS4C8M16D1、AS4C16M16D1、AS4C32M16D1 和 AS4C64M16D1 高速 CMOS 雙數(shù)據(jù)速率同步 DRAM (DDR1 SDRAM) 的容量分別為 64 MB、128 MB、256 MB、512 MB 和 1Gb,均采用 66 引腳 TSOP II 封裝。這些器件非常適合用于各種要求高存儲(chǔ)器帶寬的產(chǎn)品,且特別適合高性能 PC 應(yīng)用,成為大量類似解決方案的可靠的插入式、引腳對引腳兼容型替代品。

    溫度范圍

    • 商業(yè)級:0°C 至 +70°C

    • 工業(yè)級(-40°C 至 +95°C)

    • 汽車級 (-40°C~105°C)(僅限 AS4C4M16D1A-5TAN)


    AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM特性

    • 內(nèi)部配置為四組 1M (AS4C4M16D1)、2M (AS4C8M16D1)、4M (AS4C16M16D1)、8M (AS4C32M16D1) 或 16M (AS4C64M16D1) x 16 位存儲(chǔ)器,帶有一個(gè)同步接口

    • 可編程讀寫猝發(fā)長度為 2、4 或 8

    • 自動(dòng)預(yù)充電功能可在猝發(fā)序列結(jié)束時(shí)啟動(dòng)自定時(shí)的行預(yù)充電

    • 易于使用的刷新功能包括自動(dòng)刷新或自主刷新

    • 可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最適合的模式,從而最大限度提升性能

    • 快速時(shí)鐘速率:200 MHz 和 166 MHz

    • 數(shù)據(jù)速率:每引腳 400 Mbps

    • 采用 +2.5 V (±0.2 V) 單電源工作

    • 無鉛 (Pb)、無鹵素

    AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM應(yīng)用

    1. 醫(yī)療

    2. 通信

    3. 工業(yè)

    4. 消費(fèi)類產(chǎn)品

    5. PC 應(yīng)用

    AS4C16M16D1 Series Memory DRAM ICs
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