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高速 CMOS DDR SDRAM

Alliance Memory 推出 AS4C32M8D1/16D1 和 AS4C64M8D1/16D1 高速 CMOS DDR SDRAM（High-Speed CMOS DDR SDRAMs）

發(fā)布時間：2018-06-14

Alliance Memory 的 AS4C32M8D1、AS4C32M16D1A、AS4C64M8D1 和 AS4C64M16D 高速 CMOS 雙數(shù)據(jù)速率同步 DRAM (DDR SDRAM) 的容量為 256 MB、512 MB 和 1 GB，是現(xiàn)有 64 M (4 M x 16)/(2 M x 32) 和 128 M (8 M x 16)/(4 M x 32) DDR1 產(chǎn)品組合的新成員。對于要求高存儲器帶寬的工業(yè)、醫(yī)療、通信和電信產(chǎn)品產(chǎn)中的大量類似解決方案，這些器件無疑是可靠的插入式、引腳對引腳兼容型替代品。

高速 CMOS DDR SDRAM特性

采用 60 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封裝和 66 引腳 TSOP II 封裝，引腳間距為 0.65 mm
內(nèi)部配置為四個 32 M 字 x 8 位存儲體 (AS4C32M8D1)、四個 64 M 字 x 8 位存儲體 (AS4C64M8D1) 和四個 64 M 字 x 16 位存儲體 (AS4C64M16D1)，且均具有同步接口
支持商業(yè)級（0°C 至 +70°C）和工業(yè)級（-40°C 至 +85°C）溫度范圍
可編程讀或?qū)戔Оl(fā)長度為 2、4 或 8
自動預(yù)充電功能可在猝發(fā)序列結(jié)束時啟動自定時的行預(yù)充電
易于使用的刷新功能包括自動刷新或自主刷新
可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最適合的模式，從而最大限度提升性能
快速時鐘速率：200 MHz 和 166 MHz
采用 +2.5 V (±0.2 V) 單電源工作
無鉛 (Pb)、無鹵素

High-Speed CMOS DDR SDRAMs
數(shù)據(jù)手冊	產(chǎn)品型號	產(chǎn)品分類	價格	操作
	AS4C32M16D1A-5TIN	SRAM存儲器-存儲器	￥42.30166	在線訂購
	AS4C32M16D1A-5TCN	其他存儲器-存儲器	￥36.10017	在線訂購
	AS4C64M16D1-6TCN	SRAM存儲器-存儲器	￥205.89720	在線訂購
	AS4C64M16D1-6TIN	SRAM存儲器-存儲器	￥236.70720	在線訂購
	AS4C64M8D1-5TIN	SRAM存儲器-存儲器		在線訂購

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高速 CMOS DDR SDRAM

高速 CMOS DDR SDRAM特性