
高速 CMOS SDRAM

Alliance Memory 提供 2 M x 32 位和 4 M x 32 位同步 DRAM (High-Speed CMOS SDRAMs)
發(fā)布時間:2018-06-14
Alliance Memory 擴展了其 64 M 和 128 M SDRAM 產品線,推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封裝和 86 引腳 400 mil 塑料 TSOP II 封裝。 對于要求高存儲器帶寬的產品中的大量類似解決方案,這些器件無疑是可靠的插入式、引腳對引腳兼容型替代品。
高速 CMOS SDRAM特性
時鐘喚醒時間縮短至 5.4 ns
快速時鐘速率:143 MHz 和 166 MHz
商用溫度范圍 0°C 至 70°C
采用 +3.3 V (±0.3 V) 單電源工作
可編程讀或寫猝發(fā)長度為 1、2、4、8 或全頁面,且可選猝發(fā)端接
自動預充電功能可在猝發(fā)序列結束時啟動自定時的行預充電
易于使用的刷新功能包括自動刷新或自主刷新
可編程模式寄存器允許系統(tǒng)選擇最適合的模式,從而最大限度提升性能
無鉛 (Pb)、無鹵素
高速 CMOS SDRAM應用
工業(yè)
電信
消費類產品
圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產品型號 | 產品分類 | 產品描述 | 價格 | 操作 |
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![]() | | AS4C2M32S-6BIN | 其他存儲器-存儲器 | 2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM),具有快速訪問時間和高時鐘速率,支持完全同步操作,內部流水線架構,四個內部bank,可編程模式,多種突發(fā)長度和類型,適用于需要高帶寬的應用。 | ¥51.17215 | 在線訂購 |
![]() | | AS4C4M32SA-7TCN | MRAM磁性隨機存儲器-存儲器 | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | ¥37.94166 | 在線訂購 |
![]() | | AS4C4M32S-7BCN | 其他存儲器-存儲器 | 128Mb AS4C4M32S SDRAM 是一款高速 CMOS 同步 DRAM,內部配置為四組 1M x 32 DRAM。具有快速訪問時間(5.4/5.4 ns)和高時鐘速率(166/143 MHz)。支持完全同步操作,內部流水線架構,可編程模式,自動刷新和自刷新功能。 | ¥39.75480 | 在線訂購 |
![]() | | AS4C2M32SA-7TCN | 其他存儲器-存儲器 | 64Mb SDRAM 是一種高速CMOS同步DRAM,內部配置為四組512K x 32 DRAM,每個512K x 32位的bank組織為2048行 x 256列 x 32位。讀寫訪問以選定位置開始,并按照編程的序列繼續(xù)訪問多個位置。 | 在線訂購 | |
![]() | | AS4C2M32S-7BCN | 其他存儲器-存儲器 | 2M x 32 bit Synchronous DRAM (SDRAM),具有快速訪問時間和高時鐘速率,支持完全同步操作,內部流水線架構,四個內部bank,可編程模式,多種突發(fā)長度和類型,適用于需要高帶寬的應用。 | ¥31.21200 | 在線訂購 |
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![]() | | AS4C4M32SA-6TCN | 其他存儲器-存儲器 | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | ¥37.85630 | 在線訂購 |
![]() | | AS4C2M32SA-6TIN | 其他存儲器-存儲器 | 64Mb SDRAM 是一種高速CMOS同步DRAM,內部配置為四組512K x 32 DRAM,每個512K x 32位的bank組織為2048行 x 256列 x 32位。讀寫訪問以選定位置開始,并按照編程的序列繼續(xù)訪問多個位置。 | 在線訂購 | |
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應用案例
資訊專業(yè)RAM哪家強?且看Alliance Memory三個“不”承諾2014-12-03
內存產業(yè)就像是一個江湖,經(jīng)過幾十年的大浪淘沙,如今剩下的廠商屈指可數(shù)。而要想在這個巨頭環(huán)伺,競爭激烈的行業(yè)內生存,當然不是一件容易的事情。