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移動型高速 DDR SDRAM
Alliance Memory 推出 AS4CxxMxxMD1 高速移動 CMOS 雙倍數(shù)據(jù)速率同步 DRAM（High-Speed Mobile DDR SDRAMs）
發(fā)布時間：2018-06-14
Alliance Memory 的高速移動 CMOS 雙倍數(shù)據(jù)速率同步 DRAM (DDR SDRAM) 專門用于提高能效并延長小型便攜式設(shè)備的電池壽命。這些容量為 256 MB、512 MB、1 GB 和 2 GB 的器件采用 8 mm x 9 mm、60 焊球和 8 mm x 13 mm、90 焊球 FPBGA 封裝，具有 1.7 V 至 1.95 V 低功耗和多項省電功能。在高帶寬、高性能存儲器系統(tǒng)應(yīng)用中，AS4C16M16MD1、AS4C32M16MD1、AS4C16M32MD1、AS4C64M16MD1、AS4C32M32MD1 以及 AS4C64M32MD1 成為類似解決方案可靠的插入式引腳兼容替代品。
移動型高速 DDR SDRAM特性
1.7 V 至 1.95 V 低功耗
省電功能：
自動溫度補償型自我刷新 (ATCSR)
部分陣列自我刷新 (PASR)
深度斷電 (DPD) 模式
以雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)實現(xiàn) 166 MHz 以及 200 MHz 的快速時鐘速率
每個器件均提供擴展（-30 °C 至 +85 °C）和工業(yè)（-40 °C 至 +85 °C）溫度范圍
內(nèi)部配置為 4 組 16 M x 16 位和 32 位；32 M 和 64 M x 16 位；以及 32 M 和 64 M x 32 位
提供 8 mm x 9 mm 的 60 焊球和 8 mm x 13 mm 的 90 焊球 FPBGA 封裝
全同步工作
2、4、8 或 16 的可編程讀或?qū)戔Оl(fā)長度
自動預(yù)充電功能可在猝發(fā)序列結(jié)束時啟動自定時的行預(yù)充電
易于使用的刷新功能包括自動刷新或自主刷新
符合 RoHS 規(guī)范
無鉛 (Pb)、無鹵素
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | AS4C16M16MD1-6BCN | 其他存儲器-存儲器 | ￥21.79832 | 在線訂購 | |
 | | AS4C16M32MD1-5BCN | SRAM存儲器-存儲器 | ￥48.61141 | 在線訂購 | |
| | AS4C64M32MD1-5BCN | SRAM存儲器-存儲器 | ￥127.84502 | 在線訂購 | |
| | AS4C32M16MD1-5BCN | MRAM磁性隨機存儲器-存儲器 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FPBGA | 在線訂購 | |
 | | AS4C64M16MD1-6BCN | MRAM磁性隨機存儲器-存儲器 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | 在線訂購 | |
| | AS4C64M16MD1-6BIN | MRAM磁性隨機存儲器-存儲器 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA | 在線訂購 | |
| | AS4C32M32MD1-5BCN | MRAM磁性隨機存儲器-存儲器 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | 在線訂購 |
應(yīng)用案例
資訊專業(yè)RAM哪家強？且看Alliance Memory三個“不”承諾2014-12-03
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)就像是一個江湖，經(jīng)過幾十年的大浪淘沙，如今剩下的廠商屈指可數(shù)。而要想在這個巨頭環(huán)伺，競爭激烈的行業(yè)內(nèi)生存，當然不是一件容易的事情。
工商網(wǎng)監(jiān)