購物車
上傳BOM
74LVC8T595雙電源移位寄存器
Nexperia的74LVC8T595雙電源8位串行輸入/串行輸出或并行輸出移位寄存器（74LVC8T595 Dual Supply Shift Register），3態(tài)
發(fā)布時間：2018-06-13
Nexperia的 74LVC8T595雙電源移位寄存器是8位串行輸入或并行輸出配置，具有存儲寄存器和3態(tài)輸出。移位和存儲寄存器存在單獨的時鐘。移位寄存器中的數(shù)據(jù)在STCP輸入的正向轉(zhuǎn)換時被傳送到存儲寄存器。如果兩個時鐘都連接，則移位寄存器始終位于存儲寄存器之前的一個時鐘脈沖。
V CC（A）和V CC（B）可在1.1 V至5.5 V之間的任何電壓下供電，使該器件適用于任何電壓節(jié)點之間的轉(zhuǎn)換（1.2 V，1.5 V，1.8 V，2.5 V，3.3 V）和5.0 V）。引腳MR，SHCP，STCP，OE，DS和Q7S參考V CC（A），引腳Qn參考V CC（B）。
該器件完全適用于使用I OFF的部分省電應(yīng)用。I OFF電路禁用輸出，防止在斷電時通過器件的任何有害電流。在掛起模式下，當(dāng)V CC（A）處于GND電平時，Qn輸出處于高阻抗OFF狀態(tài)。
74LVC8T595雙電源移位寄存器特性
寬電源電壓范圍：
V CC（A）：1.1 V至5.5 V.
V CC（B）：1.1 V至5.5 V.
高抗噪性
符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)：
JESD8-12A（1.1 V至1.3 V）
JESD8-11A（1.4 V至1.6 V）
JESD8-7（1.65 V至1.95 V）
JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
JESD8C（3.0 V至3.6 V）
JESD12-6（4.5 V至5.5 V）
暫停模式
每個JESD 78 Class II的閂鎖性能超過100 mA
±24 mA輸出驅(qū)動（V CC（A） = V CC（B） = 3.0 V）
輸入接受高達(dá)5.5 V的電壓
I OFF 電路提供部分掉電模式操作
多個包選項
額定溫度范圍為-40°C至+ 85°C和-40°C至+ 125°C
ESD保護(hù)：
HBM ANSI / ESDA / JEDEC JS-001 3A類超過4000 V.
CDM JESD22-C101E超過1000 V.
74LVC8T595雙電源移位寄存器應(yīng)用
I2C
手機(jī)
液晶電視
STB
個人計算
Batterymanagement
| 圖片 | 數(shù)據(jù)手冊 | 產(chǎn)品型號 | 產(chǎn)品分類 | 產(chǎn)品描述 | 價格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | 74LVC8T595PWJ | 移位寄存器-邏輯及時序器件 | 雙電源8位串行輸入/串行輸出或并行輸出移位寄存器；三態(tài) | 在線訂購 | |
 | | 74LVC8T595BQX | 移位寄存器-邏輯及時序器件 | 雙電源8位串行輸入/串行輸出或并行輸出移位寄存器；三態(tài) | 在線訂購 |
應(yīng)用案例
資訊Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET2025-03-21
Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
資訊Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)2025-03-20
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD)封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1
資訊Nexperia擴(kuò)展E-mode GaN FET產(chǎn)品組合2025-03-19
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務(wù)器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時提供級聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計人員在應(yīng)對設(shè)計過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。
資訊安世半導(dǎo)體汽車以太網(wǎng)ESD保護(hù)器件應(yīng)用方案2025-03-07
為應(yīng)對未來的汽車連接和電氣化需求，我們需要高速度、高帶寬的汽車以太網(wǎng)。行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者依托開放技術(shù)聯(lián)盟SIG積極合作，促進(jìn)以太網(wǎng)在汽車領(lǐng)域的普及應(yīng)用。但在更高級的電氣設(shè)計中，分立ESD保護(hù)器件變得越來越重要。
資訊安世半導(dǎo)體高效能源采集PMIC技術(shù)直播預(yù)告2025-02-20
在當(dāng)今物聯(lián)網(wǎng)快速發(fā)展的背景下，低功耗設(shè)備對高效、可持續(xù)的電源管理方案需求迫切。傳統(tǒng)電源管理芯片因依賴外部電感器，存在電路板空間占用大、成本高以及電池壽命受限等問題。
資訊Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合2025-02-19
Nexperia（安世半導(dǎo)體）融合其近20年來在高質(zhì)量、高穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗，推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合。基于此久經(jīng)考驗的封裝技術(shù)，CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
資訊AN90034用于功率MOSFETs的SPICE和VHDL-AMS中的Nexperia精密電熱模型2025-02-19
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN90034用于功率MOSFETs的SPICE和VHDL-AMS中的Nexperia精密電熱模型.pdf》資料免費下載
資訊Nexperia推出超低靜態(tài)電流通用低壓差穩(wěn)壓器2025-02-14
Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日新推出一系列符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的超低靜態(tài)電流通用低壓差(LDO)穩(wěn)壓器。該新系列同時包含高精度帶輸出跟隨的LDO，集成輸出保護(hù)功能，且輸入電壓范圍較寬，因此可直接連接汽車電池。
工商網(wǎng)監(jiān)