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    FDN337N

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    ?N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管

    制造商:ON

    中文數(shù)據(jù)手冊(cè)

    產(chǎn)品信息

    SuperSOT?-3 N溝道邏輯電平增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專(zhuān)有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專(zhuān)為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗而定制的。 這些器件特別適合筆記本電腦、手提電話、PCMCIA卡和其他電池供電電路中的低電壓應(yīng)用,此類(lèi)應(yīng)用需要在很小尺寸的表面貼裝封裝中提供快速開(kāi)關(guān)和低線路內(nèi)功率損耗。
    • 2.2 A,30 V,R
    • = 0.065 Ω @ V
    • = 4.5 V,R
    • = 0.082 Ω @ V
    • = 2.5 V。
    • 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形SOT-23表面貼裝封裝采用專(zhuān)有的SuperSOT?-3設(shè)計(jì),具有優(yōu)異的熱性能和電氣性能。
    • 采用高密度單元設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)極低的R
    • 出色的導(dǎo)通阻抗和最大的DC電流能力。

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    技術(shù)資料

    標(biāo)題類(lèi)型大?。↘B)下載
    SOT-23, 3 Lead, 1.3x2.9PDF54 點(diǎn)擊下載
    N-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPDF336 點(diǎn)擊下載
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETsPDF501 點(diǎn)擊下載
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETsPDF319 點(diǎn)擊下載
    Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 點(diǎn)擊下載
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 點(diǎn)擊下載
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 點(diǎn)擊下載
    MOSFET BasicsPDF1159 點(diǎn)擊下載

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    FAN23SV10MAMPXFT7521FSQ0270RNAFPF1204
    FSB50250ABFAN3217TFJV3105RFNB43060T2
    FSBB15CH60DFPF1048FSA9280AFL6300A
    FAN73895FSB70450FAN9672FFSP10120A
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