FDV303N

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?數(shù)字FET，N溝道

制造商：ON

中文數(shù)據(jù)手冊

產(chǎn)品信息

這些N溝道增強(qiáng)模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高單元密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝專為最大限度地降低低柵極驅(qū)動(dòng)條件下的通態(tài)電阻而定制。該器件特別為使用一個(gè)鋰或三個(gè)鎘或NMH電池的電池電路應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件可作為一個(gè)轉(zhuǎn)換器使用，或在緊湊型便攜電子設(shè)備，例如無線電話和傳呼器的高效微型分立DC/DC轉(zhuǎn)換中使用。該器件即使在柵極驅(qū)動(dòng)電壓低至2.5V時(shí)仍具有出色的通態(tài)電阻。

? 25 V，0.68 A 連續(xù)電流，2 A 峰值。
R
= 0.45 Ω @ V
= 4.5 V
R
= 0.6 Ω @ V
= 2.7 V
? 柵極驅(qū)動(dòng)電平要求極低，從而可在 3 V 電路中直接運(yùn)行。 V
< 1.0 V。
? 柵-源齊納二極管增強(qiáng)耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。
? 緊湊型工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) SOT-23 表面貼裝封裝。
? TN0200T 和 TN0201T 的備選方案。

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型號	制造商	描述	購買
FDV303N-F169	-	-	立即購買
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技術(shù)資料

標(biāo)題	類型	大?。↘B）	下載
SOT-23	PDF	32	點(diǎn)擊下載
Digital FET, N-Channel	PDF	474	點(diǎn)擊下載
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool? MOSFETs	PDF	501	點(diǎn)擊下載
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT?-6 Power MOSFETs	PDF	319	點(diǎn)擊下載
Shielded Gate PowerTrench? MOSFET Datasheet Explanation	PDF	1588	點(diǎn)擊下載
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant Converter	PDF	1707	點(diǎn)擊下載
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs	PDF	2048	點(diǎn)擊下載
MOSFET Basics	PDF	1159	點(diǎn)擊下載

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FJN3305R	FAN53611	FOD2743B	FSA8049
FPF2302	FIN1101	FAN73933	FAN7171_F085
FSA1257A	FOD8334	FAN54511	FFSP05120A
FPF2195	FOJAN FRC0603J102 TS	FDMS003N08C	FAN7380_OP
FAN6982	FIN1018	FERD20U50	FSL106HR

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