FTL11639

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?可配置負(fù)載開關(guān)和重置計(jì)時(shí)器

制造商：ON

中文數(shù)據(jù)手冊

產(chǎn)品信息

FTL11639 既可作為重置移動(dòng)設(shè)備的計(jì)時(shí)器，又可作為先進(jìn)負(fù)載管理器件，用于需要高度集成解決方案的應(yīng)用。
若移動(dòng)設(shè)備關(guān)閉，保持 /SR0 低電平（通過按下開啟鍵）38 ms ±20% 能夠開啟 PMIC。
作為一個(gè)重置計(jì)時(shí)器，F(xiàn)TL11639 有一個(gè)輸入和一個(gè)固定延遲輸出。它通過斷開 PMIC 與電池電源的連接，產(chǎn)生一個(gè) 11.5 s ±20% 的固定延遲。 FTL11639 不接受新輸入信號 400 ms ±20%，使 PMIC 有足夠的時(shí)間關(guān)閉。
連接一個(gè)外部電阻到 DELAY_ADJ 引腳，可以自定義重置延遲。
作為一個(gè)先進(jìn)負(fù)載管理開關(guān)，F(xiàn)TL11639 斷開具有嚴(yán)格關(guān)斷狀態(tài)電流目標(biāo)和較高負(fù)載電容的（高達(dá) 200 μF）負(fù)載（由 DC 電源軌 (<6 V) 供電）的連接。 FTL11639 包含一個(gè)壓擺率控制的低阻抗 MOSFET 開關(guān)（4.5 V 時(shí)的典型值為 21 m?），該開關(guān)具有格外低的關(guān)斷狀態(tài)漏極電流（典型值為<0.2 μA），有助于符合待機(jī)功耗要求。壓擺率控制的打開特性可防止電源軌上產(chǎn)生浪涌電流及過大的電壓降。
低 I
能實(shí)現(xiàn)直接與更低壓的芯片接口，在保證低功耗的同時(shí)無需外部轉(zhuǎn)換。
該器件采用先進(jìn)、完全“綠色”的 1.31 mm x 1.62 mm 晶圓級芯片尺寸封裝 (WLCSP)，可提供卓越的導(dǎo)熱性、小封裝尺寸和低電阻，應(yīng)用廣泛。

出廠自定義導(dǎo)通時(shí)間： 38 ms
出廠自定義關(guān)斷延遲： 900 ms
出廠已編程重置延遲： 11.5 s
出廠已編程重置脈沖： 400 ms
低<0.2 μA 典型關(guān)斷電流
關(guān)斷引腳關(guān)閉負(fù)載開關(guān)以維持運(yùn)輸和存儲(chǔ)期間的電池電荷（出箱即可用）
典型 R
： 21 mΩ（典型值），需 V
= 4.5 V
3.8 A/ 4.5 A 最大持續(xù)電流（JEDEC 2S2P、無 VIA/有熱 VIA）
通過一個(gè)外部電阻實(shí)現(xiàn)可調(diào)重置延遲（可選）
低 I
節(jié)省與低壓芯片接口的功率
輸入電壓工作范圍： 1.2 V 至 5.5 V
過壓保護(hù)：允許輸入引腳 > VBAT
壓擺率/浪涌控制，t
： 2.7 ms（典型值）
輸出電容放電功能
符合 IEC61000-4-2，4 級標(biāo)準(zhǔn)的 SYS_WAKE 引腳
0 秒測試模式使能
8 kV HBM ESD（根據(jù) JESD22-A114）
靜電放電保護(hù)：
2 kV CDM（根據(jù) JESD22-C101）
10 kV HBM ESD（引腳對引腳，V
與 V
）

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型號	制造商	描述	購買
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技術(shù)資料

標(biāo)題	類型	大?。↘B）	下載
WLCSP12 1.615x1.31x0.586	PDF	96	點(diǎn)擊下載
FTL11639 - Configurable Load Switch and Reset Timer	PDF	2048	點(diǎn)擊下載
Bi-Directional Translator Architectures	PDF	831	點(diǎn)擊下載
How to Determine Thermal Resistance for a Power Semiconductor Heat Sink in an SMPS	PDF	155	點(diǎn)擊下載

應(yīng)用案例更多案例

東大金智科技10Gb/s |10km |1310nm| FTLX1475D3BCL特征
　　特征　　Hot-pluggable SFP+ footprint 　　Supports 9.95 to 10.5Gb/s bit rates 　　Power dissipation 《 1W 　　RoHS-6 compliant （lead-free）　　Single 3.3V power supply 　　Maximum link length of 10km 　　Uncooled 1310nm DFB laser 　　Receiver limi...
2019-10-31
基于內(nèi)部區(qū)域壓實(shí)（IZC）的垃圾回收
上層展現(xiàn)出來的是一個(gè)一維的LBA數(shù)組，每個(gè)LBA都可以被讀寫，其最初的引用是為了隱藏存儲(chǔ)介質(zhì)的不同。然而隨著存儲(chǔ)介質(zhì)的迭代，為flash based存儲(chǔ)設(shè)備維護(hù)塊層接口語義代價(jià)越來越大，如flash based SSDs中FTL的運(yùn)轉(zhuǎn)需要大量DRAM，GC需要OP空間，并且設(shè)備
2023-06-30
ZNS SSD設(shè)計(jì)架構(gòu)及性能優(yōu)化
ZNS使基于閃存的固態(tài)硬盤具有更高的性能和更低的每字節(jié)成本。通過將管理擦除塊內(nèi)數(shù)據(jù)組織的責(zé)任從FTL轉(zhuǎn)移到主機(jī)軟件，ZNS消除了設(shè)備內(nèi)LBA到頁的映射、垃圾回收和OP空間。
2023-06-29
Micrium全家桶之uC-FS: 0x01 NAND FTL
這一篇我們來講講Micrium全家桶的uC-FS。文件系統(tǒng)是一個(gè)比較龐大的組件,我們以從下往上的順序介紹,即先以一個(gè)具體的設(shè)備:NAND為例,講其FTL的原理和實(shí)現(xiàn),然后再講FS部分。本文先講NAND驅(qū)動(dòng)(FTL)部分的基本原理和代碼使用,后面會(huì)分幾篇詳細(xì)介紹其實(shí)現(xiàn)。
2023-06-08
Micrium全家桶之uC-FS: 0x02 NAND FTL算法原理詳解
uC-FS的NAND驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)基于一篇論文:《KAST: K-Associative Sector Translation for NAND Flash Memory in Real-Time Systems》所以有必要先介紹下該論文的內(nèi)容,以便后面理解代碼的實(shí)現(xiàn)。
2023-06-08
東大金智科技40GBASE-SR4 300m FTL410QD3C模塊介紹英文版
　Maximum link length of 300m on OM3 Multimode Fiber （MMF） and 400m on OM4 MMF
2019-11-05
東大金智科技40GBASE-LR4 10km FTL4C1QE1C光模塊英介紹文版
Hot-pluggable QSFP+ form factor
2019-11-05
東大金智科技40GBASE-SR4 150m FTL410QE3C特征英文版
Four-channel full-duplex transceiver module Hot-pluggable QSFP+ form factor Maximum link length of 100m on OM3 Multimode Fiber (MMF) and 150m on OM4 MMF 多速率能力：1.06Gb/s to 10.5Gb/s per channel Unretimed XLPPI electrical interface Maximum power dissipation < 1.5W Reliabl...
2019-11-04

系列產(chǎn)品索引查看所有產(chǎn)品

FGH60N60UFD	FDG6323L	FSBB15CH120DF	FPF1038
FSL126HR	FNF50560TD1	FAN7085_GF085	FSBB30CH60CT
FSB50660SF	FSA2467	FSL126MR	FAN53600
FPF2195	FOD8334	FDV301N	FAN48615
FSBB20CH60D	FDMF6707C	FAN3225C_F085	FSBB20CH60CT

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